能夠對SiO2薄膜、SiN薄膜、Poly薄膜、光刻膠、單晶硅襯底、碳化硅襯底及圖形片內點位進行精準量測，并生成膜厚Mapping。
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膜厚儀

工藝能力

技術指標:
  • 測試材料須透光和半透光
  • 量測方式：自動化薄膜厚度光譜反射量測（無接觸）
  • 紅外光光源量測厚度范圍：單晶硅襯底或碳化硅襯底7um-1mm
  • 紅外光光源量測厚度誤差：0.4% or 50NM（取大者）
  • 紅外光量測重復精度：≤5nm
量測擬合模式：反射光譜擬合與傅里葉變換的雙模式模擬厚度。
設備能力：
能夠對SiO2薄膜、SiN薄膜、Poly薄膜、光刻膠、單晶硅襯底、碳化硅襯底及圖形片內點位進行精準量測，并生成膜厚Mapping。
 

膜厚儀

工藝能力

技術指標:
  • 測試材料須透光和半透光
  • 量測方式：自動化薄膜厚度光譜反射量測（無接觸）
  • 紅外光光源量測厚度范圍：單晶硅襯底或碳化硅襯底7um-1mm
  • 紅外光光源量測厚度誤差：0.4% or 50NM（取大者）
  • 紅外光量測重復精度：≤5nm
量測擬合模式：反射光譜擬合與傅里葉變換的雙模式模擬厚度。
設備能力：
能夠對SiO2薄膜、SiN薄膜、Poly薄膜、光刻膠、單晶硅襯底、碳化硅襯底及圖形片內點位進行精準量測，并生成膜厚Mapping。
 

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